編號：CPJS05022
篇名：全印刷碳納米管薄膜晶體管構(gòu)建及電性能研究
作者：張祥[1,2] ;費斐[2] ;郭文瑞[2] ;聶書紅[2] ;吳良專[3] ;謝建軍[1] ;趙建文[2] ;崔錚[2]
關(guān)鍵詞：納米壓印 電刷鍍 半導(dǎo)體碳納米管 聚合物 印刷電子 薄膜晶體管
機構(gòu)： [1]上海大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院,上海200444; [2]中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所印刷電子研究中心,江蘇蘇州215123; [3]中國科學(xué)院理化技術(shù)研究所,北京100190
摘要： 利用納米壓印和電刷鍍技術(shù)在PET基體上制作出大面積金源、漏電極陣列,。分別采用鈦酸鋇復(fù)合材料為介電層,印刷銀電極為頂電極,聚芴-二噻吩基吡咯并吡咯二酮（PF8DPP）分離的半導(dǎo)體碳納米管為有源層,在柔性基體上構(gòu)建出全印刷碳納米管薄膜晶體管器件和反相器,。全印刷碳納米管薄膜晶體管的開關(guān)比和遷移率分別達到4×10^4和6cm2·V^-1·s^-1,且器件表現(xiàn)出零回滯特性。構(gòu)建的反相器在Vdd=8V時,其增益可以達到12,。
