編號：CPJS05010
篇名：Sb_2S_3納米粒子敏化ZnO微納分級結(jié)構(gòu)的光電化學(xué)性能
作者：郭志敏[1] ;郝彥忠[1,2] ;裴娟[2] ;孫寶[2] ;李英品[2]
關(guān)鍵詞：光電化學(xué) Sb2S3納米粒子 ZNO納米棒 微納分級結(jié)構(gòu) 殼核結(jié)構(gòu)
機構(gòu)： [1]河北科技大學(xué)化學(xué)與制藥工程學(xué)院,河北石家莊050018; [2]河北科技大學(xué)理學(xué)院,河北石家莊050018
摘要： 采用電化學(xué)沉積方法,選擇聚乙二醇（PEG-400）和乙二胺（EDA）為添加劑,直接在ITO導(dǎo)電玻璃上制備了有序陣列的ZnO納米棒,以及ZnO納米棒上生長納米棒微納分級結(jié)構(gòu),。采用化學(xué)浴沉積法均勻沉積Sb2S3納米粒子,制備了Sb2S3/ZnO納米棒殼核結(jié)構(gòu)和Sb2S3/ZnO納米棒上生長納米棒分級殼核結(jié)構(gòu),。利用掃描電子顯微鏡（SEM）、X射線衍射（XRD）,、紫外-可見吸收光譜（UV-vis）,、瞬態(tài)光電流等分析手段對其形貌,、結(jié)構(gòu)和光電化學(xué)性能進(jìn)行了表征和測試。研究表明,Sb2S3/ZnO納米棒上生長納米棒分級殼核結(jié)構(gòu)陣列膜的光電流明顯高于Sb2S3/ZnO納米棒殼核結(jié)構(gòu)陣列,。
