編號：CPJS04900
篇名：半導(dǎo)體納米材料CdSe/ZnS在顯示器件中的應(yīng)用
作者：劉巖[1,2] ;白曉[2] ;李婷婷[2] ;朱偉[2] ;沈啟慧[1]
關(guān)鍵詞：半導(dǎo)體納米材料 電致發(fā)光 發(fā)光二極管 顯示器件
機構(gòu)： [1]吉林化工學(xué)院化學(xué)與制藥工程學(xué)院,吉林吉林132022; [2]吉林大學(xué)化學(xué)學(xué)院,長春130012
摘要： 以半導(dǎo)體納米材料CdSe/ZnS作為發(fā)光層,ZnO作為電子傳輸層,用Al和氧化銦錫（ITO）分別作為兩極材料,采用旋涂和真空蒸鍍膜技術(shù)制備半導(dǎo)體發(fā)光二極管,并對其光學(xué)性質(zhì)進行表征.結(jié)果表明：該器件發(fā)射黃光,峰位為575nm,半峰寬30nm,最大發(fā)光強度2 000cd/m^2;在較高的電流密度下,該器件的電致發(fā)光效率無明顯衰減;當半導(dǎo)體納米材料CdSe/ZnS及ZnO分別作為發(fā)光層和電子傳輸層時,可制備具有高電流密度且穩(wěn)定的發(fā)光二極管主體材料.
