編號(hào)：CPJS04825
篇名：納米硒的制備及其光電性能
作者：王偉[1] ;黎燕[1] ;王蘇寧[1] ;鐘福新[1] ;朱義年[2] ;莫德清[3]
關(guān)鍵詞：納米硒 光電壓 電沉積
機(jī)構(gòu)： [1]桂林理工大學(xué)化學(xué)與生物學(xué)院,廣西桂林541004; [2]桂林理工大學(xué)環(huán)境科學(xué)與工程學(xué)院,廣西桂林541004; [3]桂林電子科技大學(xué)生命與環(huán)境科學(xué)學(xué)院,廣西桂林541004
摘要： 以導(dǎo)電玻璃（ITO）為基底,采用電沉積法制備納米硒,。在單一變量的基礎(chǔ)上結(jié)合正交試驗(yàn)和響應(yīng)面試驗(yàn),探討了制備條件對(duì)納米硒光電壓的影響,。結(jié)果表明：在沉積電壓1.7 V、沉積溫度30℃、沉積時(shí)間7 min,、硫脲用量為1 mmol時(shí),納米硒的光電壓值最高,達(dá)0.868 4 V;由紫外-可見(jiàn)吸收光譜測(cè)得其禁帶寬度Eg=1.84 e V;SEM分析發(fā)現(xiàn),納米硒呈棒狀及蓮花狀結(jié)構(gòu),棒直徑約為100 nm,長(zhǎng)度為3-6μm;XRD表征結(jié)果顯示,納米硒主要為3種晶系的混晶系納米晶體,在2θ為37.188°,、45.246°,、60.324°處分別出現(xiàn)斜方晶系納米硒的（120）,、（200）和（211）晶面,在2θ為30.141°、50.701°處分別出現(xiàn)六方晶系納米硒的〈101〉,、{11-1}晶面,在2θ為35.522°處出現(xiàn)單斜晶系納米硒的[120]晶面,其中以〈101〉晶面和[120]晶面為擇優(yōu)生長(zhǎng)取向,。
