編號：CPJS04817
篇名：一維GaN納米材料制備及其光電器件研究進(jìn)展
作者：賈若飛 ;楊麗麗 ;楊豐 ;王飛 ;楊慧 ;李嵐
關(guān)鍵詞：GAN 納米線 CVD法 LED 光探測器
機(jī)構(gòu)： 天津理工大學(xué),顯示材料與光電器件教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,天津市光電顯示材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,材料科學(xué)與工程學(xué)院,材料物理所,天津300384
摘要： 一維GaN納米材料相對于薄膜材料在光電器件應(yīng)用方面具有諸多優(yōu)勢,本文主要論述一維GaN納米材料的主要制備方法及其光電器件應(yīng)用的研究進(jìn)展。首先分別介紹采用MOCVD,、MBE,、CVD及模板法制備一維GaN納米材料,重點(diǎn)論述GaN納米材料的結(jié)構(gòu)與形貌調(diào)控。其次介紹一維GaN納米材料分別應(yīng)用于主要光電器件包括LED,、太陽能電池,、激光器及光探測器的研究動態(tài),討論納米材料性能、結(jié)構(gòu)以及制備技術(shù)對其器件性能的影響,。最后對一維GaN納米材料的發(fā)展與應(yīng)用前景進(jìn)行展望,。
