編號：CPJS04808
篇名：納米SiO_2/芳綸絕緣紙復合材料的空間電荷特性和介電性能
作者：廖瑞金[1] ;柳海濱[1] ;柏舸[1] ;郝建[2] ;李蕭[1] ;林元棣[1]
關(guān)鍵詞：芳綸絕緣紙 二氧化硅 納米改性 空間電荷 熱刺激電流 擊穿強度 體積電阻率
機構(gòu)： [1]輸配電裝備及系統(tǒng)安全與新技術(shù)國家重點實驗室(重慶大學),重慶400044; [2]國網(wǎng)重慶市電力公司電力科學研究院,重慶401123
摘要： 為提高油紙絕緣系統(tǒng)的絕緣壽命,提出將納米SiO_2粒子改性的芳綸絕緣紙應用于直流輸變電設(shè)備的方法,。在加壓和去壓短路條件下,測試了不同納米SiO_2含量的芳綸絕緣紙試樣的空間電荷特性,、熱刺激去極化電流、直流擊穿強度和體積電阻率,。結(jié)果表明：添加納米SiO_2使芳綸絕緣紙的線均電荷密度明顯低于純芳綸紙試樣;隨納米SiO_2含量的增加,試樣平均電荷密度衰減速率呈現(xiàn)先減小后增大的變化趨勢;SiO_2的添加增加了芳綸紙內(nèi)部深陷阱和淺陷阱的密度;納米SiO_2含量為1wt%時直流擊穿強度最大;芳綸紙的體積電阻率隨納米SiO_2含量增加呈單調(diào)遞增趨勢,。機理分析表明納米SiO_2粒子濃度過高時,其分散性變差導致其對芳綸紙性能的改善作用變?nèi)酢?/p>
