編號：CPJS04677
篇名：鑲嵌有納米硅的SiNx薄膜光致發(fā)光的溫度依賴特性研究
作者：劉建蘋 ;鄭燕 ;劉海旭 ;于威 ;丁文革 ;賴偉東
關(guān)鍵詞：納米硅/氮化硅 光致發(fā)光 溫度依賴特性
機(jī)構(gòu)： 河北大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院、河北省光電信息材料重點實驗室,河北保定071002
摘要： 采用對靶磁控濺射法在單晶硅襯底上沉積鑲嵌有納米硅的氮化硅薄膜,然后在形成氣體FG（10%H2,90%N2）氣氛中進(jìn)行450℃常規(guī)熱退火50min,。通過熒光光譜儀測得的穩(wěn)態(tài)/瞬態(tài)光致發(fā)光（PL）譜研究了鑲嵌有納米硅的氮化硅（SiNx）薄膜樣品光致發(fā)光特性,。結(jié)果表明,樣品的發(fā)光過程可以歸因于納米硅的量子限制效應(yīng)發(fā)光和與缺陷相關(guān)的發(fā)光。隨著激發(fā)光能量的增加,PL譜峰位發(fā)生藍(lán)移,表明較小粒度的納米硅發(fā)光比例增加;溫度的降低會抑制非輻射復(fù)合過程,提高輻射復(fù)合幾率,因此發(fā)光壽命延長,發(fā)光強(qiáng)度呈指數(shù)增加;隨著探測波長的減小,樣品的發(fā)光壽命則明顯縮短,表明納米硅的量子限制效應(yīng)發(fā)光對溫度有很強(qiáng)的依賴性,。
