編號：CPJS04667
篇名：硅納米線的制備及其光學(xué)性能的研究
作者：陳亞婷 ;王金良 ;陳澤升 ;秦韶陽 ;薄乾紅
關(guān)鍵詞：硅納米線 金屬催化化學(xué)刻蝕法 光吸收
機(jī)構(gòu)： 北京航空航天大學(xué)物理科學(xué)與核能工程學(xué)院,北京100191
摘要： 通過金屬催化化學(xué)刻蝕的方法中的兩步法制備出了具有陣列結(jié)構(gòu)的硅納米線,研究了不同刻蝕條件對硅納米線形貌的影響,分析了形成不同形貌的原因,。測定了不同條件下制備的硅納米線的光吸收性能,總結(jié)了影響光吸收性能的因素和原因,根據(jù)硅納米線的光吸收圖求出了硅納米線的禁帶寬度,說明了硅納米線已經(jīng)具備不同于硅片的性能,。
