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自蔓延高溫合成Ti2SnC粉體及反應機理的研究

編號:FTJS06597

篇名:自蔓延高溫合成Ti2SnC粉體及反應機理的研究

作者:孫和鑫 ;宋柏萱 ;陳紅任 ;朱春城

關鍵詞:Ti2SnC 自蔓延高溫合成 反應機理

機構: 哈爾濱師范大學化學化工學院,哈爾濱150025

摘要: 采用自蔓延高溫合成技術制備了Ti2SnC粉體材料,,利用XRD,、SEM、EDS,、TEM及DTA等分析手段對其形貌結構進行表征,,在室溫條件下其晶格參數a和c分別為3.186A^°和13.630A^°分析了Ti2SnC的形成機制。在Ti-Sn-C反應體系中,,Sn在232℃時熔化為液態(tài),,隨著溫度的升高,鈦包裹在碳的外面形成鈦碳層,,繼續(xù)加熱Ti和Sn反應生成Ti—Sn金屬間化合物TixSny,,如Ti6Sn5和Ti5Sn3,在800℃左右鈦碳層形成了TiC,,在1100℃左右TiC與TixSny發(fā)生反應生成類盤狀的Ti2SnC,。

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