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低發(fā)射率SiO2/Al2 O3納米復(fù)合粉體的制備和紅外隱身性能

編號:CPJS04392

篇名:低發(fā)射率SiO2/Al2 O3納米復(fù)合粉體的制備和紅外隱身性能

作者:陳珂 ;紀(jì)箴 ;張一帆 ;賈成廠 ;楊善武

關(guān)鍵詞:二氧化硅 氧化鋁 納米復(fù)合材料 粉體 隱身技術(shù) 發(fā)射率

機(jī)構(gòu): 北京科技大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院,北京100083

摘要: 采用溶膠-凝膠法制備非晶態(tài)和結(jié)晶態(tài)兩種相結(jié)構(gòu)的SiO2/Al2 O3納米復(fù)合粉體,通過X射線衍射,、透射電子顯微鏡等手段對納米復(fù)合粉體結(jié)構(gòu)和形貌進(jìn)行表征,并利用傅里葉變換紅外光譜儀研究納米復(fù)合粉體的紅外隱身性能.結(jié)果表明:兩種相結(jié)構(gòu)的SiO2/Al2 O3納米復(fù)合粉體均呈不規(guī)則顆粒狀,其中結(jié)晶態(tài)SiO2/Al2 O3納米復(fù)合粉體的平均晶粒尺寸約為18 nm,;結(jié)晶態(tài)SiO2/Al2 O3納米復(fù)合粉體在2.5~25μm波長范圍內(nèi)的紅外發(fā)射率均低于非晶態(tài)復(fù)合粉體,3~5μm內(nèi)發(fā)射率平均值為45.65%,8~14μm內(nèi)發(fā)射率平均值為46.19%,是一種低發(fā)射率的紅外隱身復(fù)合納米材料.

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