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近紫外光LED芯片用紅色熒光粉SrIn2O4:Eu3+,Sm3+的制備及性能研究

編號:CPJS04152

篇名:近紫外光LED芯片用紅色熒光粉SrIn2O4:Eu3+,Sm3+的制備及性能研究

作者:龔文麗 ;鐘瑞霞 ;齊建全 ;劉自然 ;張曉燕

關鍵詞:近紫外激發(fā) 紅色熒光粉 SrIn2O4 Eu3+,Sm3+

機構: 東北大學秦皇島分校資源與材料學院;東北大學秦皇島分校河北省電介質與電解質重點實驗室;河北科技師范學院凝聚態(tài)物理研究所

摘要: 利用高溫固相法制備了Eu3+,、Sm3+單摻雜及共摻雜的SrIn2O4熒光材料.通過XRD,、激發(fā)光譜、發(fā)射光譜等對SrIn2O4∶Eu3+、Sr In2O4∶Sm3+,、Sr In2O4∶Eu3+,Sm3+進行表征。結果表明,Sr In2O4∶Eu3+在近紫外光395 nm激發(fā)下能夠有效的產生616 nm的紅光發(fā)射.在Sr In2O4∶Sm3+體系中發(fā)現(xiàn),該系列樣品適合于407 nm的紫光激發(fā),發(fā)射峰位于607 nm.在Sr In2O4∶Eu33+Sm3+體系中,通過光譜分析發(fā)現(xiàn),基質中存在Eu3+和Sm3+激活劑之間的相互能量傳遞過程.該能量傳遞過程使Sr In2O4∶Eu3+,Sm3+更適合于390410 nm紫外芯片激發(fā)的LED用紅色熒光粉,。

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