編號(hào)：CPJS04106
篇名：藍(lán)色熒光粉K（Na）BaBP2O8：Eu^2＋的制備與發(fā)光特性
作者：王瑩 ;陳永杰 ;耿秀娟 ;邢貞方 ;馮玉東 ;李梓楊 ;曹爽 ;左修源
關(guān)鍵詞：硼磷酸鹽 藍(lán)色熒光粉 高溫固相法 晶體學(xué)格位 發(fā)光性能
機(jī)構(gòu)： 沈陽化工大學(xué)遼寧省稀土化學(xué)及應(yīng)用重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,遼寧沈陽110142
摘要： 采用高溫固相法在還原氣氛中合成K（Na）BaBP2O8：Eu^2＋系列硼磷酸鹽藍(lán)色熒光粉,研究煅燒溫度以及用Na＋摻雜替換K＋對(duì)熒光粉晶體結(jié)構(gòu)和發(fā)光性能的影響。利用熱重-示差掃描量熱（TG-DSC）,、X射線衍射（XRD）,、熒光（PL）光譜和色坐標(biāo)（CIE）等手段確定了熒光粉的合成溫度,并對(duì)熒光粉的晶體結(jié)構(gòu)和發(fā)光性能進(jìn)行表征。結(jié)果表明,800~875℃制備的KBaBP2O8：0.03Eu2＋熒光粉具有KBaBP2O8純相結(jié)構(gòu),屬于四方晶系,空間群I42d,熒光粉的最佳合成溫度為875℃,。K（Na）BaBP2O8：Eu^2＋系列熒光粉可被波長(zhǎng)為365nm的近紫外光有效激發(fā),與InGaN芯片（350~410nm）相匹配;其發(fā)射光譜為400~650nm的不對(duì)稱寬帶,發(fā)射峰位于456nm左右,對(duì)應(yīng)Eu2＋的4f65 d1-4f7-5d0躍遷,。利用van Uitert經(jīng)驗(yàn)公式計(jì)算了Eu2＋取代KBaBP2O8中Ba2＋和K＋時(shí)所占的晶體學(xué)格位,得出449.4nm、439.1nm兩個(gè)發(fā)射屬于Eu2＋占據(jù)8配位的Ba2＋和K＋的5d-4f躍遷發(fā)射,511.0,、506.7nm兩個(gè)發(fā)射屬于Eu2＋占據(jù)6配位的Ba2＋和K＋的5d-4f躍遷發(fā)射,。用適量Na＋替換K＋可以明顯提高熒光粉的發(fā)光強(qiáng)度,其最佳摻雜摩爾比例為Na/K=0.35/0.65,此時(shí)熒光粉的主晶相沒有改變,但XRD衍射峰向大角度方向偏移。K（Na）BaBP2O8：Eu^2＋熒光粉的CIE點(diǎn)可落在從藍(lán)光到藍(lán)白光區(qū)域,在近紫外LED應(yīng)用中可以根據(jù)實(shí)際需要靈活選擇,。
