編號：CPJS03863
篇名：介孔SiO2薄膜增敏SERS基底在消逝波激勵下的特性表征
作者：趙喬[1] ;逯丹鳳[1] ;陳晨[1] ;祁志美[1,2]
關(guān)鍵詞：表面開口介孔二氧化硅薄膜 消逝場激勵 定向和背向拉曼信號 半定量分析
機構(gòu)： [1]中國科學院電子學研究所,、傳感技術(shù)國家重點實驗室,北京100190; [2]國民核生化災(zāi)害防護國家重點實驗室,北京102205
摘要： 采用溶膠-凝膠分子模板法在50 nm厚金膜表面制備約40 nm厚介孔二氧化硅（MPS）薄膜,，然后在MPS薄膜表面靜電自組裝金納米粒子（GNP）單層膜，形成的多層膜結(jié)構(gòu)用作表面增強拉曼散射（SERS）基底,。利用掃描電鏡觀測到MPS薄膜具有表面開口多孔結(jié)構(gòu),，有助于小分子向薄膜內(nèi)快速擴散�,；跁r域有限差分（FDTD）方法對電場分布的仿真結(jié)果指出,，在表面等離子體共振（SPR）條件下分布于金膜與GNP之間的消逝場顯著增強。由于空間重疊,，該增強場能夠高效激發(fā)MPS內(nèi)富集的小分子拉曼信號,，產(chǎn)生的拉曼信號還可免受金屬作用的干擾。利用Kretschmann結(jié)構(gòu)和尼羅藍（NB）拉曼活性分子測試了Au/MPS/GNP基底在785 nm激發(fā)波長下的SERS效果,，并與Au/GNP基底進行了比較。結(jié)果表明,，在SPR條件下,， Au/MPS/GNP基底能夠?qū)е螺^強的定向和背向拉曼信號，而且在586 cm-1處的背向拉曼信號強度是Au/GNP基底的40倍,，這歸功于MPS薄膜。進一步測試表明背向拉曼信號強度與NB濃度成正相關(guān),。這意味著Au/MPS/GNP基底具有良好的半定量檢測本領(lǐng),。
