編號(hào)：CPJS03840
篇名：增強(qiáng)型GaN MOSFET的制備及其絕緣柵的電荷特性研究
作者：周桂林[1] ;張金城[1] ;沈震[1] ;楊帆[1] ;姚堯[1] ;鐘健[1] ;鄭越[1] ;張佰君[1] ;敖
關(guān)鍵詞：氮化鎵 二氧化硅 場(chǎng)效應(yīng)管 等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 陷阱 正向偏壓
機(jī)構(gòu)： [1]中山大學(xué)物理科學(xué)與工程技術(shù)學(xué)院、光電材料與技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,廣州510275; [2]德島大學(xué)科學(xué)技術(shù)學(xué)院,日本德島708502
摘要： 采用ICP干法刻蝕和PECVD沉積技術(shù),制備了增強(qiáng)型Si襯底SiO2/GaN MOS柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）。SiO2/GaN MOSFET轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)測(cè)試中出現(xiàn)閾值電壓不穩(wěn)定現(xiàn)象,針對(duì)其閾值電壓穩(wěn)定性問(wèn)題,采用正向電壓偏置方法對(duì)SiO2/GaN MOSFET的絕緣柵電荷特性展開(kāi)研究,。正向電壓偏置后,器件的轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)和高頻C-V特性曲線(xiàn)均正向偏移,研究表明：SiO2/GaN之間存在的界面態(tài)和靠近SiO2/GaN界面的SiO2內(nèi)部陷阱是造成SiO2/GaN MOSFET閾值電壓不穩(wěn)定的原因,實(shí)驗(yàn)研究結(jié)果同時(shí)表明氮?dú)? 000℃快速熱退火（RTA）對(duì)SiO2內(nèi)部陷阱有改善作用,。
