編號：NMJS05524
篇名：用于GaN薄膜生長的γ-LiAlO2晶體基片制備工藝研究
作者：鄭威 ;齊濤 ;姜凱麗
關(guān)鍵詞：鋁酸鋰晶體 氮化鎵薄膜 表面粗糙度 二氧化硅 拋光
機構(gòu)： 哈爾濱理工大學材料科學與工程學院,哈爾濱150040
摘要： 研究了鋁酸鋰晶體的化學機械拋光工藝,。自制了SiO2懸浮液作為拋光劑,主要研究拋光過程中拋盤轉(zhuǎn)速,、拋光時間以及拋光壓力等系列拋光工藝參數(shù)對拋光晶片表面質(zhì)量的影響規(guī)律,。通過優(yōu)化拋光工藝參數(shù)獲得了適宜制備氮化鎵薄膜的鋁酸鋰晶體基片,最小的表面粗糙度為2.695 nm,。結(jié)合氮化鎵薄膜的制備條件,對拋光好的鋁酸鋰晶體基片采用退火的方法去除生長態(tài)晶體的熱應力和機械應力,。利用掃描電子顯微鏡研究了退火后晶片的表面質(zhì)量,同時用激光共聚焦技術(shù)研究了晶體表面腐蝕坑的三維形貌,。退火處理導致了鋁酸鋰晶體表面腐蝕坑的數(shù)目和深度增加,。隨著退火溫度的升高和退火的保溫時間的增加,鋁酸鋰晶體中鋰元素揮發(fā),晶體表面質(zhì)量下降,。但是適當?shù)谋貢r間能夠改善鋁酸鋰晶體的完整性,釋放在晶體生長和試樣制備過程中存在的熱應力和機械應力,改善了晶體質(zhì)量,。
