編號：CPJS03703
篇名：碳化硅/二氧化硅核殼結(jié)構(gòu)納米線的制備及場發(fā)射特性研究
作者：劉霞,； 曹連振； 蔣紅,； 宋航,；
關(guān)鍵詞：碳化硅； 二氧化硅,； 核殼結(jié)構(gòu),； 場發(fā)射特性；
機構(gòu)： 山東省多光子糾纏與操縱重點實驗室,濰坊學(xué)院物理與光電工程學(xué)院,； 中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機械與物理研究所,；
摘要： 以甲烷和二氧化硅納米球為源,鐵作催化劑,成功制備了長徑比達200的碳化硅/二氧化硅核殼結(jié)構(gòu)一維納米線,分析了納米線的合成機制,并研究了納米線的場發(fā)射特性,。研究結(jié)果表明,當(dāng)施加的電場為5.5V/μm時,納米線的場發(fā)射電流密度可達0.41mA/cm2,顯示出良好的場發(fā)射特性。通過分析實驗結(jié)果,認(rèn)為納米線具有良好場發(fā)射特性的原因有2個:一個是核殼結(jié)構(gòu)納米線的長徑比比較大;另一個是核殼結(jié)構(gòu)納米線表面包覆的低電子親和勢的二氧化硅薄層抑制了表面缺陷發(fā)射,。
