編號(hào)：NMJS05467
篇名：激光干涉光刻法制備二氧化硅光子晶體抗反射膜
作者：陳辰,； 鐘金祥,； 洪榮墩,；
關(guān)鍵詞：非線性光學(xué),； 激光干涉光刻法； 光子晶體,； ICP刻蝕,；
機(jī)構(gòu)： 廈門大學(xué)物理與機(jī)電工程學(xué)院物理系；
摘要： 為了研究制備二氧化硅(SiO2)光子晶體抗反射膜,采用激光干涉光刻法與電感耦合等離子刻蝕(ICP)技術(shù)制備進(jìn)行實(shí)驗(yàn),。激光干涉光刻法可實(shí)現(xiàn)靈活,、快速制備大面積周期納米結(jié)構(gòu),而ICP刻蝕具有良好的各向異性,掃描電子顯微鏡的圖片(SEM)表明兩種實(shí)驗(yàn)工藝制備的SiO2光子晶體形貌良好。通過自制的測(cè)量平臺(tái),實(shí)現(xiàn)測(cè)量不同入射角度的入射光對(duì)光子晶體的透過率,測(cè)量結(jié)果說明了光子晶體對(duì)1170nm的入射光有較好的增透效果,。有效折射率可以解釋光子晶體在響應(yīng)波長(zhǎng)處增透減反的成因,。SiO2光子晶體的成功制備在工藝與理論上為以后應(yīng)用于光電器件的抗反射膜提供了參考。
