編號：FTJS05690
篇名：射頻功率對F-DLC薄膜結(jié)構(gòu)及場發(fā)射性能的影響
作者：蔣愛華,； 邵紅娟,； 楊端翠,； 肖劍榮,；
關(guān)鍵詞：F-DLC薄膜,； 射頻功率,； 表面形貌,； 鍵合結(jié)構(gòu),； 場發(fā)射性能,；
機(jī)構(gòu)： 桂林理工大學(xué)理學(xué)院,；
摘要： 采用射頻等離子體化學(xué)增強(qiáng)型氣相沉積法,以CF4和CH4為源氣體,氬氣為載氣,在不同射頻功率下制備了摻氟類金剛石(F-DLC)薄膜樣品。用原子力顯微鏡觀測了樣品的表面形貌,用X射線光電能譜儀及拉曼光譜儀等表征方法對樣品的鍵合結(jié)構(gòu)進(jìn)行了測試,、分析,。結(jié)果顯示:薄膜表面致密均勻,射頻功率增加,薄膜表面均方根粗糙度增大,膜內(nèi)sp2雜化結(jié)構(gòu)相對含量增加。樣品的場發(fā)射性能測試顯示:高射頻功率下制備的F-DLC薄膜樣品的場發(fā)射閾值低,場發(fā)射電流密度升高,。其主要原因是:隨著射頻功率的增加,薄膜的表面粗糙度增大及薄膜的石墨化程度增加引起,。
