編號：CPJS03618
篇名：聚酰亞胺/二氧化硅雜化薄膜的制備與性能研究
作者：韓文松,；
關(guān)鍵詞：聚酰亞胺,； 納米二氧化硅； 改性,； 聚酰亞胺/二氧化硅雜化膜,；
機(jī)構(gòu)： 陜西理工學(xué)院材料科學(xué)與工程學(xué)院,；
摘要： 首先將3-氨丙基三乙氧基硅烷接枝到納米二氧化硅表面,制得表面含有氨基的改性納米二氧化硅粒子(A—SiO2)。再將A—SiO2按不同比例與酐封端的聚酰胺酸進(jìn)行反應(yīng),最后經(jīng)熱酰胺化過程,得到一系列聚酰亞胺/二氧化硅雜化膜,。采用紅外光譜(FT-IR),、X-射線衍射(XRD)、紫外光譜(UV-vis),、熱重分析(TGA),、動態(tài)機(jī)械熱分析儀和掃描電鏡(SEM)對合成的聚酰亞胺及其二氧化硅雜化薄膜進(jìn)行了表征。UV-vis光譜表明,通過向聚酰亞胺薄膜中添加A—SiO2可以改變聚酰亞胺薄膜的透光性,。TGA測試結(jié)果表明,隨著A—SiO2含量的增加,聚酰亞胺/二氧化硅雜化薄膜的熱穩(wěn)定性有所提高,。由機(jī)械性能測試可知,當(dāng)A—SiO2摻雜量小于1.5%時,聚酰亞胺/二氧化硅雜化膜的機(jī)械性能優(yōu)于純聚酰亞胺的機(jī)械性能,當(dāng)A—SiO2的摻雜量大于2.0%時,聚酰亞胺/二氧化硅雜化膜的機(jī)械性能比純聚酰亞胺的機(jī)械性能差。SEM分析可知當(dāng)A—SiO2粒子含量小于1.5%時,其在聚酰亞胺基體中分散均勻,當(dāng)含量大于2.0%時,體系出現(xiàn)明顯團(tuán)聚現(xiàn)象,。
