編號：FTJS05653
篇名：γ-巰丙基三甲氧基硅烷對納米二氧化硅表面接枝改性的研究
作者：李峰,； 李紅強(qiáng),； 賴學(xué)軍； 吳文劍,； 曾幸榮,；
關(guān)鍵詞：納米SiO2,； γ-巰丙基三甲氧基硅烷； 表面接枝改性,；
機(jī)構(gòu)： 華南理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院,；
摘要： 采用γ-巰丙基三甲氧基硅烷(KH590)對納米二氧化硅表面進(jìn)行接枝改性,研究KH590用量、反應(yīng)時間和反應(yīng)溫度等對納米二氧化硅相對接枝率和粒徑的影響;采用紅外光譜(FT-IR)和掃描電子顯微鏡(SEM)等手段對改性前后的納米二氧化硅進(jìn)行表征,。結(jié)果表明:KH590通過水解后與二氧化硅粒子表面的羥基發(fā)生反應(yīng),成功接枝到納米二氧化硅表面;其最佳工藝條件為:KH590用量為二氧化硅質(zhì)量的15%,反應(yīng)溫度為80℃,反應(yīng)時間為10 h,其相對接枝率達(dá)到10.3%;與未改性納米二氧化硅相比,其平均粒徑明顯變小,分散性及親油性明顯變好,。
