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碳材料表面沉積硅化物的研究

編號:CPJS03593

篇名:碳材料表面沉積硅化物的研究

作者:唐建新; 高軍,; 王重海,; 張銘霞; 杜斌,; 李傳山,;

關鍵詞:碳材料; 涂層,; 化學液相沉積,; 硅化物;

機構(gòu): 山東理工大學,; 山東工業(yè)陶瓷研究設計院有限公司,;

摘要: 采用化學液相沉積工藝(RCLD),在碳材料表面快速附著一層結(jié)合緊密、致密均勻的硅化物涂層,研究了不同直徑的預制體表面處理以及電壓和電流等對碳材料外部硅化物層結(jié)構(gòu)和性能的影響,。結(jié)果表明,經(jīng)王水腐蝕的石墨表面粗糙化,有利于沉積層的生成和附著;預制體的直徑為7mm,、電壓為52V、電流為60A時的抗氧化沉積層具有較好的性能,。

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