編號：NMJS05341
篇名：Bi,Se和Te吸附n/p型石墨烯電子結(jié)構(gòu)研究
作者：戴憲起； 王寧,； 趙寶,； 趙旭；
關(guān)鍵詞：石墨烯,； 拓?fù)浣^緣體,； 吸附； 摻雜,； Bi,； Se； Te,；
機(jī)構(gòu)： 河南師范大學(xué)物理與電子工程學(xué)院,； 鄭州師范學(xué)院物理與電子科學(xué)系； 復(fù)旦大學(xué)物理學(xué)系,；
摘要： 本文采用基于密度泛函理論的第一性原理方法研究了Bi,Se,Te在缺陷(單空位,B摻雜和N摻雜)石墨烯上的吸附結(jié)構(gòu)及電子和磁性質(zhì).研究表明:在能量穩(wěn)定的Bi(Se)/石墨烯吸附體系中,Bi吸附誘導(dǎo)產(chǎn)生磁性;在空位缺陷石墨烯上的吸附會改變費(fèi)米能級處態(tài)密度分布,影響體系的導(dǎo)電性質(zhì);在B(N)摻雜吸附體系中,B比N對吸附原子的影響大;除Se在B摻雜石墨烯上吸附外,Bi,Se,Te在其它n/p型摻雜吸附體系中均顯示磁性.缺陷增強(qiáng)了Bi,Se,Te與石墨烯之間的相互作用,對吸附體系的電子結(jié)構(gòu)和電荷分布有較大的影響.
