編號：FTJS05565
篇名：稀土Dy摻雜對ZnO,CdO和SnO_2薄膜性能的影響
作者：韓菲,； 李�,。�
關(guān)鍵詞：熱蒸發(fā),； CdO,； ZnO； SnO2,； 薄膜,； 稀土Dy摻雜； 熱處理,；
機構(gòu)： 燕京理工學院機電工程學院,； 內(nèi)蒙古大學物理科學與技術(shù)學院；
摘要： 用熱蒸發(fā)法和熱處理制備稀土Dy摻雜金屬氧化物CdO,ZnO和SnO2薄膜,研究不同Dy摻雜濃度及熱處理對3種薄膜性能的影響,。XRD和SEM測試結(jié)果顯示:適當?shù)腄y摻雜和熱處理可改善薄膜的結(jié)構(gòu)特性,使薄膜表面的致密性變好,。CdO,ZnO和SnO2薄膜的最佳摻Dy原子數(shù)分數(shù)為5%,5%和3%。摻Dy后Cd O,ZnO和SnO2薄膜的導電類型均為n型,電阻值降低約一個數(shù)量級,。Dy摻雜使得薄膜的致密性增加而導致光透過率降低。制備的薄膜都是直接帶隙半導體,相應(yīng)的光學帶隙:Cd O約2.232 eV,CdO∶Dy(Dy原子數(shù)分數(shù)5%)的略增為2.241 e V,ZnO薄膜約為3.31 eV;ZnO∶Dy(Dy原子數(shù)分數(shù)5%)約3.25 eV,SnO2薄膜約3.07 eV,SnO2∶Dy(Dy原子數(shù)分數(shù)3%)約3.03 eV,。
