編號：FTJS05371
篇名：光輻射懸浮區(qū)熔法Tb_2PdSi_3單晶生長及磁性能
作者：徐義庫； 劉林,； 張軍,； L·SER Wolfgang； FRONTZEK Matthias,；
關(guān)鍵詞：懸浮區(qū)熔,； 單晶生長； 稀土化合物,； 磁性能,；
機構(gòu)： 長安大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院； 西北工業(yè)大學(xué)凝固技術(shù)國家重點實驗室,； 萊布尼茲固態(tài)及材料科學(xué)研究所,； 德累斯頓工業(yè)大學(xué)固態(tài)物理所,；
摘要： 采用光輻射加熱懸浮區(qū)熔法以3 mm/h的生長速度成功制備了Tb2PdSi3單晶,。通過分析得知,該化合物為同成分熔融化合物,熔點約為1700℃。和其它R2PdSi3型化合物(R為稀土元素)不同,在單晶基體中沒有發(fā)現(xiàn)TbSi沉淀,分析原因可能是因為晶體中Tb含量略高于化學(xué)計量比,。采用X射線Laue背散射實驗對晶體的晶格結(jié)構(gòu)和高完整性進行了驗證,并對定向單晶的a和c方向磁化率-溫度曲線進行了測定,。
