編號：FTJS05370
篇名：退火溫度對Ti/IrO_2-CeO_2電極組織結構與電容性能的影響
作者：婁長影； 朱君秋,； 邵艷群,； 馬曉磊； 唐電,；
關鍵詞：晶化程度,； 超級電容器； IrO2-CeO2,； 退火,； 稀土；
機構： 福州大學材料科學與工程學院； 廈門理工學院材料科學與工程學院,；
摘要： 采用熱分解法制備了鈦基IrO2-CeO2二元氧化物涂層電極(Ti/IrO2-CeO2),。通過X射線熒光衍射(XRD),(SEM),循環(huán)伏安和交流阻抗等方法研究了退火溫度對Ti/IrO2-CeO2涂層電極組織結構與電容性能的影響。結果表明,隨退火溫度升高,IrO2-CeO2涂層由非晶態(tài)向晶態(tài)轉變,晶化程度逐漸升高;在460~480℃高溫退火,IrO2-CeO2涂層中仍含有約28%的非晶態(tài)組織,說明CeO2有抑制IrO2晶化的作用,。當退火溫度為380℃時,電極的晶化程度約為25%,比電容達到最大值,并具有良好的循環(huán)穩(wěn)定性,。電極的電荷轉移電阻取決于電極的晶化程度,隨退火溫度升高呈階梯下降趨勢。
