編號：CPJS03070
篇名：三元稀土硅化物Gd_2PdSi_3單晶生長(英文)
作者：徐義庫,； Wolfgang L·SER,； 郭亞杰； 趙新寶； 劉林,；
關(guān)鍵詞：Gd2PdSi3,； 懸浮區(qū)熔,； 單晶生長,； 稀土化合物； 沉淀,；
機構(gòu)： 長安大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院,； 德國萊布尼茲固態(tài)及材料科學(xué)研究所固態(tài)材料研究所； 西北工業(yè)大學(xué)凝固技術(shù)國家重點實驗室,；
摘要： 采用光懸浮區(qū)熔法以3 mm/h的生長速度制備Gd2PdSi3單晶,。該化合物表現(xiàn)為同成分熔融,其熔點在1700°C左右,。與Gd2PdSi3化學(xué)計量成分相比,制備的晶體中Pd含量略低,導(dǎo)致了熔區(qū)內(nèi)Pd的富集以及實驗過程中熔區(qū)溫度的降低。采用標準成分給料棒制備的單晶內(nèi)含有少量定向的GdSi沉淀,可以通過退火熱處理減少其含量但并不能完全消除,。采用給料棒成分微調(diào)的方法制備出不含GdSi沉淀的高質(zhì)量Gd2PdSi3單晶,。
