編號：CPJS03051
篇名：(Ce,Yb)共摻雜氧化硅薄膜的發(fā)光特性及結(jié)構(gòu)
作者：李晉桃； 衡成林,； 張紅艷,； 殷鵬剛,；
關(guān)鍵詞：下轉(zhuǎn)換發(fā)光； 稀土摻雜,； 氧化硅薄膜,； 硅酸鹽；
機構(gòu)： 北京理工大學(xué)物理學(xué)院,； 北京航空航天大學(xué)化學(xué)與環(huán)境學(xué)院,；
摘要： 采用磁控濺射技術(shù)在單晶硅襯底上制備了稀土(Ce,Yb)共摻雜氧化硅薄膜,研究了薄膜樣品的結(jié)構(gòu)和下轉(zhuǎn)換發(fā)光性質(zhì),。樣品的發(fā)光光譜顯示,在He-Cd激光器325 nm線的激發(fā)下,Ce3+離子的發(fā)光強度較弱而Yb3+離子的發(fā)光較強;Yb3+的發(fā)光隨著退火溫度的升高逐漸增強;這些結(jié)果加上樣品的激發(fā)光譜和衰變光譜,都顯示樣品中發(fā)生了Ce3+到Y(jié)b3+的能量傳遞過程。X射線衍射結(jié)果表明,樣品在高溫退火時(大于1 000℃)出現(xiàn)晶化,形成了Ce和Yb的硅酸鹽結(jié)構(gòu),。筆者認為利用高溫退火形成Ce的硅酸鹽結(jié)構(gòu)可以明顯增強Yb3+的發(fā)光,從而提高薄膜的下轉(zhuǎn)換發(fā)光效率,。
