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高壓PLD法生長p型鈉摻雜氧化鋅納米線陣列

編號:NMJS05280

篇名:高壓PLD法生長p型鈉摻雜氧化鋅納米線陣列

作者:邱智文; 楊曉朋,; 韓軍,; 曾雪松; 李新化,; 曹丙強(qiáng),;

關(guān)鍵詞:鈉摻雜; 氧化鋅納米線,; 高壓脈沖激光沉積(HP-PLD),;

機(jī)構(gòu): 濟(jì)南大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院,山東省高校無機(jī)功能材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 中國科學(xué)院固體物理研究所,中國科學(xué)院材料物理重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,;

摘要: 采用高壓脈沖激光沉積法(HP-PLD)研究了壓強(qiáng),、金催化層厚度對鈉摻雜氧化鋅納米線(ZnO:Na)生長的影響,并制備了ZnO:Al薄膜/ZnO:Na納米線陣列同質(zhì)pn結(jié)器件。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),當(dāng)金膜厚度為4.2 nm,生長壓強(qiáng)為3.33×104 Pa,生長溫度為875℃時,可在單晶Si襯底上生長c軸取向性良好的ZnO納米線陣列,。X射線衍射和X射線光電子能譜綜合分析證實(shí)了Na元素成功摻入ZnO納米線晶格中,。在低溫(15 K)光致發(fā)光譜中,觀測到了一系列由Na摻雜ZnO產(chǎn)生引起的受主光譜指紋特征,如中性受主束縛激子峰(3.356 eV,A0X)、導(dǎo)帶電子到受主峰(3.312 eV,(e,A0))和施主受主對發(fā)光峰(3.233 eV,DAP)等,。通過在ZnO:Al薄膜上生長ZnO:Na納米線陣列形成同質(zhì)結(jié),測得I-V曲線具有明顯的整流特性,證實(shí)了ZnO:Na納米線具有良好的p型導(dǎo)電性能,。

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