編號：NMJS05275
篇名：化學水浴法制備柔性襯底的ZnO納米棒陣列
作者：蔣里鋒,； 董云飛,； 黃培,；
關鍵詞：ZnO納米棒陣列； 化學水浴法,； 聚酰亞胺； 柔性襯底,；
機構： 南京工業(yè)大學材料化學工程國家重點實驗室,；
摘要： 利用化學水浴法在預先制備的聚酰亞胺(PI)/ZnO薄膜襯底上生長ZnO納米棒陣列。通過X線衍射儀(XRD)和掃描電子顯微鏡(SEM)對ZnO納米棒陣列進行表征,�,？疾煲r底的性質(zhì)、反應溶液的濃度,、反應溫度和反應時間對ZnO納米棒陣列的影響。結果表明:c軸取向生長的ZnO薄膜襯底有助于形成六棱柱形ZnO納米棒晶體,。水溶液環(huán)境中生長的ZnO納米棒晶體長徑比受到反應溶液濃度和溫度的影響,。ZnO生長初期c軸方向生長速度較快,經(jīng)過一段時間后納米棒的直徑開始增大,并且能和周圍的納米棒晶體融合生長形成更大的納米棒晶體。
