編號(hào)：FTJS05190
篇名：沉積溫度對(duì)Cu_2O薄膜生長(zhǎng)過(guò)程及光電性能的影響(英文)
作者：董金礦,； 徐海燕； 陳琛,；
關(guān)鍵詞：Cu2O薄膜,； 沉積溫度,； 晶粒尺寸,； 成核密度； 禁帶寬度,；
機(jī)構(gòu)： 安徽建筑大學(xué)材料與化學(xué)工程學(xué)院,；
摘要： 以硫酸銅為銅源,采用一步化學(xué)浴沉積法制備出了晶粒尺寸可調(diào)的納米晶Cu2O薄膜。通過(guò)X射線衍射,、掃描電鏡和紫外可見(jiàn)分光光度法研究了沉積溫度對(duì)薄膜晶體結(jié)構(gòu),、成核密度、晶粒尺寸,、薄膜厚度和光電性能的影響,。結(jié)果表明,當(dāng)在60~90℃范圍內(nèi)調(diào)節(jié)溫度時(shí),能夠很好地控制晶粒尺寸、薄膜厚度,并將禁帶寬度控制在33~51 nm,、392~556 nm和2.47~2.61 eV范圍內(nèi);隨著晶粒尺寸的減小,紫外可見(jiàn)光譜的吸收邊有明顯的藍(lán)移。此外還對(duì)薄膜的生長(zhǎng)過(guò)程,成核密度和顆粒尺寸變化的機(jī)理進(jìn)行了討論,。
