編號：NMJS05239
篇名：MBE生長GaN納米柱XRD和AFM分析
作者：周平； 任霄鈺,； 苑進社,；
關鍵詞：分子束外延； V/III比,； GaN納米柱,；
機構： 重慶師范大學物理與電子工程學院；
摘要： 首次使用納米壓印和分子束外延(MBE)相結合的方法在圖形化襯底上成功制備出GaN納米柱,并用XRD和AFM對其形貌和結構特性進行了分析表征,。XRD分析表明所制備的GaN納米柱在(0002)方向擇優(yōu)生長,。計算得出GaN納米柱的尺寸約為30 nm。原子力顯微鏡AFM分析發(fā)現(xiàn):隨著V/III的增大,表面粗糙度逐漸降低,�,；赬RD和AFM分析結果,討論了V/III比對制備GaN納米柱形貌和結構的影響。
