編號：NMJS05220
篇名：模板法制備CdSe納米線及其光學性質(zhì)的研究
作者：曾云； 蘇軼坤,； 吳喜明,； 湯皎寧；
關鍵詞：電沉積,； 半導體,； CdSe納米線；
機構： 深圳大學深圳市特種功能材料重點實驗室,；
摘要： 利用恒電位沉積方法,在陽極氧化鋁(AAO)模板里沉積了CdSe納米線,。對其進行了結構和光學性質(zhì)的表征,并且用循環(huán)伏安法討論了其沉積機理。結果表明:室溫下,0.1 mol·L-1CdSO4+0.25 mol·L-1H2SO4+50 mmol·L-1 SeO2配比的溶液,0.4 V恒電位沉積,在AAO模板中制備出了CdSe納米線,。EDS的結果表明Cd和Se的化學計量比接近于1:1;通過XRD確定了所沉積的CdSe為面心立方結構,其擇優(yōu)取向為(111)晶面,。紫外可見分光光度計吸收光譜表明其吸收范圍在400~700 nm,吸收最大處在500 nm,PL發(fā)射譜表明CdSe納米線的發(fā)光峰在400 nm左右。
