編號：NMJS05124
篇名：電子束輻照對多壁碳納米管的影響（英文）
作者：李斌,； 鳳儀,； 丁克望； 錢剛,； 張學斌,； 劉衍芳；
關鍵詞：多壁碳納米管,； 電子束輻照,； 形貌； 損傷機理,；
機構： 合肥工業(yè)大學材料科學與工程學院,；
摘要： 在室溫下采用透射電子顯微鏡中匯聚的電子束輻照多壁碳納米管,。結果表明,在能量為100 keV的電子束輻照下除了碳納米管管壁有一些彎曲外沒有其他結構被破壞;當電子能量增加到200 keV時,納米管有明顯的損傷,可以觀察到納米管的無定型化、納米管外壁的凹坑和缺口,。200 keV的電子束輻照還能形成碳洋蔥和2根多壁納米管的焊接,。多壁碳納米管的離位閥能為83~110 keV。能量超過閥能的電子束可以很輕易地損傷納米管而低于閥能的電子束則很難損壞納米管,其損傷機理為濺射和原子離位,。
