編號(hào)：NMJS05071
篇名：形貌可控的CdS微米/納米結(jié)構(gòu)的表征和發(fā)光性能(英文)
作者：劉洪超； 祁小四,； 鄧朝勇,；
關(guān)鍵詞：CdS納米帶； CdS納米棒,； CdS微米柱； 熱蒸發(fā),； 發(fā)光性能,；
機(jī)構(gòu)： 貴州大學(xué)貴州省電子功能復(fù)合材料特色重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室； 貴州大學(xué)理學(xué)院；
摘要： 利用簡(jiǎn)單的熱蒸發(fā)CdS粉末方法,可合成出高質(zhì)量的CdS微米柱,。通過(guò)調(diào)控Si襯底上Au膜的厚度,能夠大面積合成出尺寸均一的CdS納米帶和納米棒,。系統(tǒng)地研究了所合成樣品的相、微結(jié)構(gòu)和光致發(fā)光特性,。室溫下樣品的發(fā)光結(jié)果表明可在所合成CdS微米柱上觀察到位于約512 nm對(duì)應(yīng)于其帶隙的強(qiáng)發(fā)光峰,。與CdS微米柱不同的是,可在所合成的CdS納米帶和納米棒樣品上分別觀測(cè)到位于約521和543 nm,528和550 nm處對(duì)應(yīng)于帶邊附近的發(fā)射強(qiáng)峰。并且,所合成的CdS納米帶和納米棒展現(xiàn)出位于約710和712 nm位置處的寬峰,該峰的出現(xiàn)與結(jié)構(gòu)缺陷,、離子缺陷或雜質(zhì)有關(guān),。與CdS納米帶的發(fā)光性能相比,所合成的CdS納米棒表現(xiàn)出增強(qiáng)的發(fā)光性能。
