編號(hào)：CPJS02458
篇名：硅量子點(diǎn)敏化太陽(yáng)電池研究
作者：王蓉； 皮孝東； 楊德仁,；
關(guān)鍵詞：硅量子點(diǎn),； 氫化硅烷化； 改性； 量子點(diǎn)敏化太陽(yáng)電池；
機(jī)構(gòu)： 硅材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室和材料科學(xué)與工程學(xué)系浙江大學(xué)；
摘要： 利用冷等離子體制備硅量子點(diǎn),并用氫化硅烷化的方法對(duì)其進(jìn)行表面改性,得到的硅量子點(diǎn)在短波長(zhǎng)光激發(fā)下的熒光量子效率約為30%,。通過(guò)把二氧化鈦納米棒陣列浸泡于分散有硅量子點(diǎn)的有機(jī)溶劑中,硅量子點(diǎn)被有效吸附在二氧化鈦納米棒的表面。進(jìn)而制備硅量子點(diǎn)敏化太陽(yáng)電池,其效率約為0.1%,。
