編號(hào)：CPJS02336
篇名：白光LED用Ba0.955Al2Si2-xGexO8∶Eu2+熒光粉的晶體結(jié)構(gòu)和光譜特性研究
作者：王飛； 田一光； 張喬,；
關(guān)鍵詞：硅酸鹽,； Ba長(zhǎng)石(BaAl2Si2O8)； Ge置換,； Eu2+,；
機(jī)構(gòu)： 安徽三聯(lián)學(xué)院實(shí)驗(yàn)中心； 溫州大學(xué)化學(xué)與材料工程學(xué)院,；
摘要： 采用高溫固相法在弱還原氣氛下制備了Ba0.955Al2Si2-x Gex O8∶Eu2+(x=0.0~1.0)系列熒光粉,研究了Ge4+置換Si 4+對(duì)其晶體結(jié)構(gòu)和光譜特性的影響,。Ge4+以類(lèi)質(zhì)同相替代Ba長(zhǎng)石(BaAl2Si2O8)晶格中的Si 4+形成連續(xù)固溶體,晶胞參數(shù)a、b,、c,、β和晶胞體積V隨Ge4+置換量呈線(xiàn)性遞增。熒光激發(fā)譜為寬帶,位于230~400nm處,可擬合成4個(gè)峰,最大峰值位于332nm;隨著Ge4+置換量的增加,半高寬(FWHM)從93nm減小到80nm,。發(fā)射光譜位于375~600nm,可由422nm和456nm兩峰擬合而成,最大峰值位于434nm;隨著Ge4+置換量Si 4+進(jìn)入基質(zhì)晶格,造成Eu-O距離變小,發(fā)光中心Eu2+所處晶體場(chǎng)增強(qiáng),5d軌道能級(jí)分裂變大,最低發(fā)射能級(jí)下移,兩擬合峰均線(xiàn)性紅移,。
