編號：CPJS02262
篇名：合成碳化硅的熱力學分析及碳化硅晶須生長的表征
作者：李心慰,； 曲殿利,； 李志堅,； 吳鋒； 徐娜,；
關鍵詞：碳化硅晶須； 熱力學,； 合成條件,； 催化劑；
機構(gòu)： 遼寧科技大學高溫材料與鎂資源工程學院,；
摘要： 以硅溶膠和炭黑為原料,三氧化二鐵,、硅鐵合金為催化劑,研究分析碳化硅晶須的合成條件,催化劑種類對合成碳化硅晶須的影響。用X’pert plus軟件對X射線衍射圖進行擬合,通過半定量法對試樣晶相組成進行計算,用SEM對合成的碳化硅晶須進行微觀形貌分析,。結(jié)果表明:合成β-SiC w的熱力學條件為:T=1823 K時,P CO>0.23×105Pa;晶須生成量隨Fe2O3,、Si-Fe加入量增加而增多;Si-Fe加入量為1%時,雖然合成的晶須量少,但生成的β-SiC w直徑均勻,為0.1~0.6μm,長度適中,為10~50μm,直晶率達95%。
