編號：FTJS04449
篇名：氧化鋁薄膜對硫鈍化InP材料光學(xué)穩(wěn)定性的影響
作者：田珊珊,； 魏志鵬,； 趙海峰； 高嫻,； 方鉉,； 唐吉龍； 楚學(xué)影,； 方芳,； 李金華； 王曉華,； 李梅,； 馬曉輝,；
關(guān)鍵詞：InP,； 光致發(fā)光； 硫鈍化,； 表面態(tài)密度,； Al2； O3,； 薄膜,；
機(jī)構(gòu)： 長春理工大學(xué)理學(xué)院； 長春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所發(fā)光學(xué)及應(yīng)用國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,；
摘要： 利用原子層沉積法(ALD)在硫鈍化后的n型InP表面沉積Al2O3薄膜進(jìn)行二次鈍化處理,。通過光致發(fā)光(PL)測試和原子力顯微鏡(AFM)測試對樣品的光學(xué)性質(zhì)及表面形貌進(jìn)行表征。硫鈍化能夠有效降低樣品的表面態(tài)密度及無輻射復(fù)合幾率,因此樣品PL發(fā)光強(qiáng)度得到了極大提高,。而樣品表面的Al2O3可防止鈍化層被氧化,盡管相對于沉積Al2O3薄膜前樣品的光致發(fā)光強(qiáng)度有所降低,但樣品的穩(wěn)定性得到了改善,因此可進(jìn)一步提高樣品的發(fā)光性能,。
