編號：FTJS04183
篇名：低熔點合金襯底上CVD法生長石墨烯
作者：孫雷,； 沈鴻烈,； 李金澤； 吳天如,； 丁古巧,； 朱云,； 謝曉明
關(guān)鍵詞：石墨烯； Cu-In合金,； 化學(xué)氣相沉積
機構(gòu)： 南京航空航天大學(xué)材料科學(xué)與技術(shù)學(xué)院,； 中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所,信息功能材料國家重點實驗室
摘要： 以CH4為氣態(tài)碳源,不同組分的In基合金為襯底,用CVD法進行石墨烯生長的研究結(jié)果。用光學(xué)顯微鏡,拉曼光譜,場發(fā)射掃描電鏡對生長的薄層進行了表征,。結(jié)果顯示在熔融態(tài)金屬Cu-In合金上成功制備了石墨烯薄膜,"表面催化"型金屬Cu的加入In使金屬表面形核點增多,合金表面石墨烯的生長速度提高,但石墨烯質(zhì)量下降;"溶解析出"型金屬Ni與低熔點金屬In組成的合金催化性能有明顯的增強,在極短的時間內(nèi)堆積成石墨"塊";金屬Sn不具備明顯的催化生長石墨烯的能力,導(dǎo)致了Sn-In合金襯底上石墨烯的生長與純In類似,Sn的影響作用較弱,。
