編號：FTJS04173
篇名：襯底對CVD生長石墨烯的影響研究
作者：張瑋,； 滿衛(wèi)東,； 涂昕； 林曉棋；
關鍵詞：石墨烯,； 化學氣相沉積,； 襯底,； 生長機理,；
機構： 武漢工程大學 湖北省等離子體化學與新材料重點實驗室；
摘要： 石墨烯有獨特的結構和優(yōu)異的性能,在電子,、信息,、能源、材料和生物醫(yī)藥等領域都有著廣闊的應用前景,。為了更好的應用這種新型材料,如何大規(guī)�,？煽睾铣筛哔|(zhì)量石墨烯是一個必須克服的困難。相比與機械剝離法,、化學氧化還原法和碳化硅表面外延生長法,化學氣相沉積法(CVD)因其可以生長大面積高質(zhì)量連續(xù)石墨烯膜而倍受關注,。基于石墨烯的生長機理,從襯底材料的角度,綜述了近幾年襯底對CVD生長石墨烯的影響的研究進展,。展望了襯底選擇的發(fā)展新趨勢。
