編號(hào)：NMJS04637
篇名：摻雜對(duì)ZnO溶膠凝膠薄膜光電特性影響的研究進(jìn)展
作者：李建昌,； 曹青,； 侯雪艷； 巴德純,；
關(guān)鍵詞：ZnO薄膜,； 摻雜； 光電特性,； 溶膠凝膠法,；
機(jī)構(gòu)： 東北大學(xué)機(jī)械工程與自動(dòng)化學(xué)院真空與流體工程研究中心；
摘要： ZnO作為寬禁帶透明半導(dǎo)體材料在光電領(lǐng)域具有廣闊應(yīng)用前景,通過(guò)摻雜可改善其光電性能,。本文從第一性原理理論計(jì)算和實(shí)驗(yàn)方面綜述了摻雜對(duì)ZnO溶膠凝膠薄膜光電特性影響的最新進(jìn)展,。III、IV族及稀土元素?fù)诫s可在ZnO導(dǎo)帶底引入大量載流子,使費(fèi)米能級(jí)進(jìn)入導(dǎo)帶,利于n型導(dǎo)電,。I,、IB族或V族元素?fù)诫s可替代Zn或O原子位置,產(chǎn)生受主雜質(zhì)能級(jí),增加受主濃度,利于p型導(dǎo)電,。單摻雜ZnO薄膜電阻率較高,共摻雜可提高雜質(zhì)溶解度,減少自補(bǔ)償作用,提高p型導(dǎo)電性。元素?fù)诫s可調(diào)整ZnO帶隙且與摻雜元素氧化物的帶隙相關(guān),Mg,、Al,、Ga、In摻雜使帶隙增大,Cd摻雜則使帶隙減小,。指出需進(jìn)一步探究摻雜ZnO薄膜的缺陷與能級(jí)結(jié)構(gòu),開(kāi)展ZnO納米晶和基于ZnO的多元復(fù)合薄膜研究等,。
