編號(hào)：NMJS04587
篇名：物理熱蒸發(fā)法制備Ga摻雜ZnO納米材料的研究
作者：雷曼,； 范新會(huì),； 于靈敏； 陳建,； 韋建松,；嚴(yán)文
關(guān)鍵詞：熱蒸發(fā)法,； ZnO納米材料； Ga摻雜,； 結(jié)構(gòu),； 形貌； 光致發(fā)光
機(jī)構(gòu)： 西安工業(yè)大學(xué)材料與化工學(xué)院
摘要： 采用物理熱蒸發(fā)鋅(Zn)粉與三氧化二鎵(Ga2O3)粉的方法,制備出不同形貌的Ga摻雜納米ZnO,。利用XRD,、SEM、TEM對(duì)產(chǎn)物的結(jié)構(gòu)和形貌進(jìn)行了分析,。結(jié)果表明,所生成的產(chǎn)物是具有六方結(jié)構(gòu)的單晶ZnO,其中4%Ga摻雜的ZnO納米結(jié)構(gòu)呈標(biāo)槍狀,與呈線狀,、未摻雜的ZnO形貌差異較大。在PL檢測(cè)中發(fā)現(xiàn)Ga摻雜使光致發(fā)光綠光峰強(qiáng)度增加,并且4%Ga摻雜時(shí)其綠光峰強(qiáng)度最大,。在隨后的XPS檢測(cè)中發(fā)現(xiàn)Ga摻雜使得ZnO中氧空位缺陷增多,這是PL中綠光峰出現(xiàn)和強(qiáng)度變化的原因,。
