編號：NMJS04582
篇名：碳納米管場發(fā)射陰極制備技術(shù)與應(yīng)用進展
作者：王福全,； 董長昆,； 李得天；
關(guān)鍵詞：碳納米管； 場發(fā)射,； 陰極；
機構(gòu)： 溫州大學(xué)微納結(jié)構(gòu)與光電器件研究所,； 蘭州物理研究所真空低溫技術(shù)與物理重點實驗室,；
摘要： 重點介紹了以點、膜和陣列3種形式制備碳納米管陰極的最新研究進展,如基于點電子源的高分辨X射線管,基于膜電子源的可彎曲平面顯示技術(shù)和基于陣列電子源的易調(diào)制微波放大器,。介紹了各種陰極結(jié)構(gòu)的工作特性,討論了其性能的優(yōu)點與不足,并對于未來碳納米管陰極研究與發(fā)展相關(guān)的問題進行了探討,。
