編號(hào)：NMJS04547
篇名：AFM制備納米氧化點(diǎn)的研究
作者：王加科； 董正超； 程顯東
關(guān)鍵詞：AFM,； 氧化點(diǎn),； 納米工藝,； 偏置電壓,； 環(huán)境濕度,；
機(jī)構(gòu)： 長(zhǎng)春理工大學(xué)光電工程學(xué)院,； 吉林省高等教育自學(xué)考試委員會(huì)辦公室,；
摘要： 結(jié)合壓力傳感器氧化絕緣納米結(jié)構(gòu)的制作,研究了基于AFM的納米陽(yáng)極氧化加工過(guò)程中偏置電壓與環(huán)境溫度,、濕度等對(duì)氧化點(diǎn)尺寸的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,氧化點(diǎn)的尺寸隨偏置電壓和環(huán)境濕度的增大而增大,但過(guò)高的偏置電壓和環(huán)境溫度將會(huì)造成氧化點(diǎn)表面產(chǎn)生臺(tái)階現(xiàn)象;環(huán)境溫度22℃,偏置電壓8V,環(huán)境濕度50%,氧化時(shí)間8s,對(duì)于n型Si(100)的氧化加工而言是相對(duì)合適的加工參數(shù),。
