編號(hào)：NMJS04509
篇名：電場(chǎng)和線度對(duì)半導(dǎo)體納米管譜線強(qiáng)度和吸收系數(shù)的影響
作者：吳強(qiáng),；
關(guān)鍵詞：半導(dǎo)體納米管,； 吸收系數(shù)； 譜線強(qiáng)度,； 頻率,；
機(jī)構(gòu)： 重慶文理學(xué)院電子電氣工程學(xué)院；
摘要： 建立在無限深勢(shì)阱下的半導(dǎo)體納米管物理模型,在偶極近似下,求出半導(dǎo)體納米管的譜線吸收系數(shù),、強(qiáng)度和頻率.以HgS為管層,CdS為內(nèi)核和外殼的半導(dǎo)體納米管為例,探討了線度和電場(chǎng)對(duì)譜線吸收系數(shù)和強(qiáng)度以及頻率的影響,結(jié)果表明:在相同線度下,不同能帶不同能級(jí)間的量子躍遷發(fā)出譜線的頻率和強(qiáng)度遠(yuǎn)大于同能帶不同能級(jí)的情形,見到的譜線基本上是由不同能帶不同能級(jí)躍遷時(shí)所發(fā)出;譜線的吸收系數(shù)和強(qiáng)度以及頻率均隨電場(chǎng)增大而增大;電場(chǎng)一定時(shí),譜線的強(qiáng)度和吸收系數(shù)隨線度增大而增大;譜線的吸收系數(shù)主要取決于電場(chǎng)和能級(jí)的躍遷情況,而與是否屬同一能帶無關(guān).
