編號：NMJS04465
篇名：火焰法制備Al/MoO3納米片陣列的影響因素
作者：趙娜,； 沈金朋,； 李瑞,； 楊光成,； 黃輝
關(guān)鍵詞：應(yīng)用化學(xué),； 含能材料,； Al/MoO3,； 亞穩(wěn)態(tài)分子間復(fù)合物(MIC),； 火焰法
機構(gòu)： 西南科技大學(xué),； 中國工程物理研究院化工材料研究所
摘要： 亞穩(wěn)態(tài)分子間復(fù)合物(MIC)陣列由于具有高能量密度,、小尺寸條件下能自持反應(yīng)的優(yōu)點,在集成化火工品方面具有潛在的應(yīng)用價值。采用火焰法在硅基底上原位制備了高度有序的MoO3納米片陣列,探討了基底材料,、納米陣列生長時間,、火焰源因素對生成MoO3形貌的影響,得到了MoO3納米片陣列的優(yōu)化制備工藝條件:以硅片為基底,生長時間為5 min和甲烷為火焰源。制備的納米片厚度為100~200 nm,寬度約5μm,長度達(dá)到十幾個微米。分別采用磁控濺射和熱蒸發(fā)在MoO3納米片陣列表面鍍鋁得到Al/MoO3M IC陣列,在鋁膜厚度相同的情況下,采用熱蒸發(fā)鍍鋁方式優(yōu)于磁控濺射,。熱蒸發(fā)鋁膜厚度為900 nm時,所獲得的Al/M oO3M IC陣列具有較高的放熱量,達(dá)到3276 J·g-1,。
