編號：NMJS04451
篇名：可控表面結(jié)構(gòu)Si納米柱陣列的制備及光學(xué)特性研究
作者：童亮,； 張朝,； 徐明,； 徐韜,； 魏斌,； 張建華
關(guān)鍵詞：Si納米柱陣列,； 納米球刻蝕,； 可控表面結(jié)構(gòu),； 減反射
機構(gòu)： 上海大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院,； 上海大學(xué)新型顯示技術(shù)與應(yīng)用集成教育部重點實驗室； 上海大學(xué)機電工程與自動化學(xué)院,； 中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所
摘要： 采用納米球刻蝕法發(fā)展針對有序Si納米柱陣列的低成本及可控制備方法,首先運用LangmuirBlodgett法在n-Si(100)片上制備SiO2粒子單層膜,并以此為掩膜系統(tǒng)考察深度反應(yīng)離子刻蝕及低損傷的感應(yīng)耦合等離子體刻蝕對于Si納米柱表面形貌的影響規(guī)律,并且通過控制刻蝕參數(shù)有效調(diào)控Si納米柱陣列的尺寸,、分布及表面結(jié)構(gòu)。反射譜測試結(jié)果表明,Si納米柱陣列可以起到顯著的減反射作用,且在400~1000nm的光譜范圍內(nèi)的最優(yōu)光反射率約為5%,。
