編號：NMJS04441
篇名：柱狀納米系統(tǒng)電子和空穴的能量和壽命(英文)
作者：吳強(qiáng),； 唐可,；
關(guān)鍵詞：柱狀納米系統(tǒng),； 電子和空穴,； 能量,； 壽命,；
機(jī)構(gòu)： 重慶文理學(xué)院電子電氣工程學(xué)院,；
摘要： 利用S-矩陣?yán)碚?在有效質(zhì)量近似下,求出柱狀納米系統(tǒng)電子和空穴的能量和壽命,并與球狀納米系統(tǒng)相比較.以HgS/CdS/HgS柱狀納米系統(tǒng)為例,探討了線度和勢壘寬度對電子和空穴的能量和壽命的影響.結(jié)果表明:柱狀納米系統(tǒng)中,電子和空穴的能量和壽命隨線度的變化規(guī)律相似,即勢壘寬度一定時(shí),能量隨內(nèi)半徑增大而減小,壽命隨內(nèi)半徑增大而增大;內(nèi)半徑一定時(shí),能量隨勢壘寬度增大而減小,但變化甚微,而壽命隨勢壘寬度增大而迅速增大;勢壘寬度Δ<4aCdS時(shí),電子和空穴的壽命均為零,但電子和空穴壽命不為零的勢壘寬度范圍不同,空穴的壽命要比電子的壽命小.柱狀和球狀納米系統(tǒng)電子和空穴壽命的變化規(guī)律相似,形狀的影響很小.
