編號(hào)：NMJS04432
篇名：熔鹽電解SiO_2/C直接制備SiC納米線
作者：趙春榮,； 楊娟玉； 盧世剛,；
關(guān)鍵詞：SiC納米線,； 電解還原； 二氧化硅,； 酚醛樹(shù)脂；
機(jī)構(gòu)： 京有色金屬研究總院,；
摘要： 采用納米SiO2和酚醛樹(shù)脂為原料制備酚醛樹(shù)脂裂解碳納米SiO2復(fù)合陰極(硅碳物質(zhì)的量的比為1∶1),直接電解PFC/SiO2復(fù)合陰極,在900℃熔融鹽CaCl2中,恒槽壓2.0 V下電解,制備出碳化硅納米線,。采用場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡(FESEM)、透射電子顯微鏡(TEM),、高分辨透射電子顯微鏡(HRTEM)及其附帶的能譜儀,、X射線分析衍射儀(XRD)和拉曼光譜(Raman)對(duì)產(chǎn)物的組成、形貌,、微觀結(jié)構(gòu)等進(jìn)行了表征,。結(jié)果表明:碳化硅納米線呈立方晶體結(jié)構(gòu),其直徑為4～13 nm,長(zhǎng)可達(dá)數(shù)微米;室溫下該納米線在415 nm和534 nm附近有寬的發(fā)光峰。最后,討論了碳化硅納米線的生成機(jī)制,。
