編號(hào)：NMJS04410
篇名：納米中心拓?fù)渚B(tài)絕緣體碲化錫納米線研究獲得新進(jìn)展展
作者：
關(guān)鍵詞：納米線,； 絕緣體,； 拓?fù)洌?表面態(tài)； 納米級(jí),； 自旋電子器件,； 納米結(jié)構(gòu),； 化學(xué)氣相沉淀法,； 比表面積； 首次通過(guò)
機(jī)構(gòu)： 國(guó)家納米科學(xué)中心
摘要： <正>低維納米結(jié)構(gòu)的比表面積大,可以有效的降低體相傳輸對(duì)表面的干擾作用因而增強(qiáng)表面態(tài)效應(yīng),更重要的是一維拓?fù)浣^緣體在一維納米級(jí)的自旋電子器件領(lǐng)域扮演這重要的角色,。國(guó)家納米科學(xué)中心何軍課題組使用化學(xué)氣相沉淀法首次合成了高質(zhì)量的單晶碲化錫納米線,并首次通過(guò)量子振蕩測(cè)試觀察到了它的拓?fù)浔砻鎽B(tài),。基于碲化錫納米線的四端器件,Aharonov-Bohm(AB)干涉效應(yīng)和Shubnikov-de Haas(SdH)振蕩被觀察到,它們證實(shí)了碲化錫納米線高對(duì)稱性表面Dirac電子的存在,。
